电子束光刻机-尊龙凯时手机版

电子束光刻机（简称ebl），全称为电子束直写光刻机，是一种基于计算机控制的设备，利用电子束在涂有光敏材料的基板上直接绘制电路图案。鉴于电子束的低效率，该技术通常不适用于大规模集成电路生产，而主要应用于科研领域的小批量实验。

ebl技术起源于20世纪60年代，初期采用扫描电子显微镜（sem）系统进行单像素直接写入。70年代，ibm推出多像素形状化电子束概念，提升了生产效率，并在早期的大规模半导体芯片制造中取得了显著成效。20世纪90年代，贝尔实验室发明scalpel技术，解决了早期电子投影光刻系统中的掩模问题。2003年，尼康交付了首台ncr-eb1a型电子束步进机。

电子束光刻机

电子束光刻技术的发展历程见证了从小规模实验室研究到工业应用的转变。从1960年德国tübingen大学的微记录仪成果，到戈登·摩尔提出摩尔定律，再到70年代超大规模集成电路的出现，电子束光刻技术逐步取代了传统光机图案发生器，成为半导体产业的关键技术。90年代初，ibm的芯片设计转变，标志着电子束光刻技术在无掩模图形生成方面的大规模工业应用的结束。

2023年3月，中国泽攸科技与松山湖材料实验室合作成立联合工程中心，推动电子束装备技术创新。2024年1月，安徽泽攸科技成功研发全自主电子束光刻系统，标志着国产设备研发和产业化的重要进展。2025年，复旦大学发布电子束光刻机采购中标公告。

2025年8月，浙江大学成果转化基地成功签约孵化首台国产商业化电子束光刻机，并在客户现场进行应用测试。

电子束光刻机是新材料研发、前沿物理、半导体、微电子、光子学和量子科学等领域的关键设备。该设备分为两种类型：投影式和直写式。投影式采用区域曝光，适用于制作光学投影光刻模版和设计验证；直写式采用点线曝光，无需昂贵的投影光学系统和耗时制备掩膜版，可制作复杂图案。投影式分辨率可达0.1μm，直写式分辨率可达10nm。

电子束光刻机结构复杂，包括电子枪、准直系统、快门、变焦透镜、投影透镜、偏转器、背散射电子探测器、样品台、图形产生器和计算机等部件。从功能上分为快速掩模制造电子束光刻机和高精度纳米电子束光刻机。投影式电子光刻机通过透镜系统将电子束缩小投影到光刻胶上，与光学光刻相似。直写式电子光刻机直接在光刻胶上绘制图样，无需掩膜版，分辨率极高。

应用领域 编辑本段

电子束光刻机因高分辨率和无需掩膜版的特点，在亚微米图样加工和复杂图案制作中具有广泛应用，成为现代微电子制造的重要工具。